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三极管深度饱和条件

1.随着基极电流逐步增大,三极管的集电极电流已经不随着基极电流变化而变化;2.Ube≥Uce.这时候的状态就是“深度饱和状态”.

NPN三极管饱和的条件是UB>UE,UB>UC,这没错.因为UB>UE=0.7V三极管才能导通;当三极管饱和导通后,Uec在0.2V-0.3V左右,那么0.7V-0.3V=0.4V.即UB>UC=0.4V-0.5V.图中由于U1是电源,那么U1=6V是不变的.又由于U2也是来自电源,所以U2不会高于6V.U2怎会灌流至U1?UB>UC,是在c极接负载的情况下出现,而象图中负载接于射极的情况下不会出现.

取决于发射结的电压值,即发射结正偏导通,反偏截止,进入截止状态;正偏时超过发射结的导通范围电压后,三极管就进入饱和状态 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和.深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和.从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度.

其实很多书上都有写,深度饱和时,两个PN结均正偏,对NPN来说就是集电极电压低于基极电压.可做为深饱的判定依据.当然,Vce小于0.7V也可做为开始饱和的依据,低至0.5V以下,就可以认为是深饱了.

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管在0.1V下

三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置.集电极反向偏置”这一条件.三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区.在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏),

NPN和PNP三极管的放大截止饱和条件分别是:截止状态:三极管基极不加偏置电压或是加反向偏置电压,使BE极截止,基极电流IB=0,因为IC=β IB,所以IC=IE=0,此时CE极之间相当于断路,负载无电流.饱和状态:当三极管之基极加入驶

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏

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