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三极管饱和截止

三极管截止,就是基极无正向偏压,三极管的C、E之间基本不导电;饱和状态就是三极管基极电流很大,三极管C、E之间呈现短路状态;放大状态就是三极管处于上述两者之间的状态.

简单来说,截止状态就是三极管的集电极和发射极之间电阻很大,就好像断开一样,饱和状态刚好相反,集电极和发射极之间就好像短路一样,两者是完全相反的关系,断开基极的电流或者减小到足够小时,三极管就进入截止状态,相反,向基极提供足够大的电流时,三极管就进入饱和状态

测量Ube和Uce电压.Ube大于0.7V一般就饱和了,低于0.5V就截止了.最确切的办法是测Uce,大约0.3V为饱和,几乎达到电源电压为截止,1/2电源电压处上下变化为放大状态.

NPN和PNP三极管的放大截止饱和条件分别是:截止状态:三极管基极不加偏置电压或是加反向偏置电压,使BE极截止,基极电流IB=0,因为IC=β IB,所以IC=IE=0,此时CE极之间相当于断路,负载无电流.饱和状态:当三极管之基极加入驶

取决于发射结的电压值,即发射结正偏导通,反偏截止,进入截止状态;正偏时超过发射结的导通范围电压后,三极管就进入饱和状态 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

通俗的说,在三极管正常供电的条件下,三极管两端的压降在0.2-3V为饱和状态,三极管的CE两之间的电阻接近无限大的条件下成为三极管截止.

截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置.对于共射电路,UBE《=UON且UCE》UBE.此时IB=0,而iC《=ICEO.小功率硅管的ICEO+在1uA以下,锗管的ICEO小于几十微安.因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0.

1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS.三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/

三极管电路的饱和:Ube>Uon,Ube>Uce; 三极管电路的放大:Ube>Uon,Ube 三极管电路的截止:Ube Uon 锗管 0.3V,硅管 0.7V

这是一个放大器的重要问题:(为了便于理解,我是假设在理想情况下) 以甲类为例:假设放大器的供电为6V,放大倍数为100,理论上可放大的后的信号最大幅度为±3V,那么输入的最大幅值为±0.03V,这时可以保证输出不失真.如果输入信号大于这个值,你可以想象,这个放大器的能力就不够了,这时从波形上看,波形将失去了上面和下面的顶部,俗称“削顶”,这时就失真了.因为输出的最高电压是在三极管截止时出现,这就截止失真,当然最低电压出现在三极管饱和时,这就叫饱和失真.当然,除了上述情况外工作点设计不好(偏高或偏低)也会出现这种失真.为了理解方便,画了一张简图:

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