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三极管饱和电压

硅管:已知道了基极电流 ib=(ub-0.7)/rb,而集电极电流等于(β*ib), uc=(β*ib)*rc+uce uceo是穿透电压,与导通状态下的uce不一样.这个穿透电压在制作的时候就已经测好了,你看晶体管的参数时都会有这个参数值.这个参数的意思是:当三极管的基极开路的时候,加在三极管上的反向电压超过uceo这个值时,三极管损坏.

三极管饱和导通电压和通过的电流有关,以硅管举例,小功率硅管的饱和压降灾.7V左右,大功率的管子饱和压降会高些,所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样,意为2A电流时的饱和压降为2V.

1、三极管饱和电压Uces确定是通过实际测试.让它流过指定的电流,给定指定的基极电流.2、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

电流,三极管是电流控制器件:Ic = β * Ib

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件.对于硅三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右,对于锗三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右,但是如果不是处于饱和区而是出于放大区,就不确定了,只能确定集电极电流是基极电流的β倍.

三极管在饱和导通时射极与集极之间的电压叫三极管的饱和压降.三极管的饱和压降一般为0.2V-0.3V 之间.

你的理解没有错误,理解到这种程度已经下了功夫了.但确实还有一点问题,主要在于: 1、过于在意“极电结正偏”了.其实,在饱和区,即便是极电结正偏,也还没有达到极电结的正向导通电压.不过,一般人都会被“正偏”误导. 2、饱

ib=(v-vceo)/rl/hfe.其中vceo为三极管饱和压降,rl为ic通路电阻总和.

在饱和状态下:第一个图中,b点电压接近于零或小于零,a点电压比b点电压高0.7v.第二个图中,b点电压大于0.7v,a点电压接近于b点电压或低于b点电压.具体数值要看三极管的饱和电压vces,而不同三极管的vces不同,同时vces与饱和电流的大小有关.

三极管击穿时集电极与发射极间的电压为零.饱和时基极对发射极为0.7V,发射极对集电极的电压接近0V.

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