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三极管饱和的原因

当需要三极管工作在放大区时,三极管进入饱和截止状态是需要避免的. 避免这种情况发生的措施以共发射级电路为例,可以这样考虑: 1.综合考虑并选择基级偏置电阻和集电极电阻Rc(若射级有交流负反馈电阻也需要统筹考虑),使直流工作点位于交流负载线的中点; 2.控制基级输入电压的幅值不要过大,以免管子进入饱和截止状态.如果你的电路只是存在先出现饱和失真的问题,只需适当调整基级偏置电阻,减小集电极静态电流即可.

你的理解没有错误,理解到这种程度已经下了功夫了.但确实还有一点问题,主要在于: 1、过于在意“极电结正偏”了.其实,在饱和区,即便是极电结正偏,也还没有达到极电结的正向导通电压.不过,一般人都会被“正偏”误导. 2、饱

NPN三极管饱和的条件是UB>UE,UB>UC,这没错.因为UB>UE=0.7V三极管才能导通;当三极管饱和导通后,Uec在0.2V-0.3V左右,那么0.7V-0.3V=0.4V.即UB>UC=0.4V-0.5V.图中由于U1是电源,那么U1=6V是不变的.又由于U2也是来自电源,所以U2不会高于6V.U2怎会灌流至U1?UB>UC,是在c极接负载的情况下出现,而象图中负载接于射极的情况下不会出现.

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和. 1.在实际工作中,常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件.根据ib*β=v/r算出的ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个pn结均正偏,ic不受ib之控制.

三极管饱和时的确是基极电压高于其它两个极,三极管主要是电流控制原件,基极电流控制集电极电流,当基极电流增大时,集电极电流也快速增大,那么集电极上的电阻降压也越大,集电极电流过大,集电极上的电阻降压过大时,最终导致集电极电压低于基极,就是我们所说的饱和电通.集电极接的是电源电压,电压几乎全部降在了电阻上.基极电压是低于电阻(负载)电压的.因此就不能说:“直接把基极电压直接供给负载”.基极电压只起控制作用.问题补充回答:三极管工作在饱和状态,首先是否由放大状态进入饱和状态的.单片机输出5v电平也就是要给基极足够大的电流,使三极管快速进入饱和状态.

三极管是少子器件,开启及关闭都有延迟,而且关闭过程会有很长的拖尾.达林顿开关速度快,原因是组成达林顿的两个管工作状态不同,电流大的一个管始终处于临界饱合状态,且集电结处于反偏,所以速度很快,而电流小的一个是小功率管,基区的储贮效应也很低,开关速度也很快. 查看原帖>>

一方面.三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态.因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结.另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得通过反偏集电结的输出电流与输入电流成正比(比例系数就是电流放大系数);但随着输入电流的增大,输出电流将逐渐转变为饱和,三极管也就进入饱和状态.因此饱和电流也仍然从集电结输出.可见,这主要是由于通过发射结的输入电流的驱动所致,如果没有输入电流的驱动,只有集电结正偏,也就不会产生输出的饱和电流.

三极管处于饱和状态的条件是发射结和集电结正偏,一点五伏大于零就是正偏,饱和的话Uc-Ue一定也大于零

一是在静态工作点偏高时!(饱和导通)二是在动态工作时输入过高时!(饱和阻塞) 对开关管来说它的工作状态就是截止与导通!(饱和)

三极管电路的饱和:Ube>Uon,Ube>Uce; 三极管电路的放大:Ube>Uon,Ube 三极管电路的截止:Ube Uon 锗管 0.3V,硅管 0.7V

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