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临界饱和基极电流

首先确定集电极饱和电流ics,忽略集电极饱和压降,ics=vcc/rl,三极管电流放大系数取较低值即可,如hfe=50左右.则饱和状态时的基极电流应大于ib=ics/hfe,一般取2倍ib.上述方法适宜于深度饱和电路,一般用于控制电路及低速开关电路.

基极电流达到多少时三极管饱和?这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和.对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V 这就是9013的特性表:

必须有足够的电源.关键是集电极,应该有个合适的电阻Rc.这样,加大Ib即可使得Vce下降,降到1V、0.5V,都可以.这才能说:CE电压随基极电流变化,加大Ib可以使三极管饱和.

Ib=(V-Vceo)/RL/Hfe.其中Vceo为三极管饱和压降,RL为Ic通路电阻总和.

要有电路图才好说 实际电路要出现这种电压,估计管子已经坏了

ICS是饱和电流.临界饱和电流比它略大一点,图示仪看在变化刚刚陡峭的地方

三极管的发射结和集电结都有最大电流、电压或反向电压,基极电流的计算要通过基极偏置电阻来间接的计算.基极的最大电流应该是实验得出来的,不是算出来的.

未饱和的三极管,集电极电流=基极电流*放大系数,即ic=βib 已饱和的三极管,在基极电流的变化不足以使三极管退出饱和状态时,集电极电流与基极电流无关,ic

这个不能单看基极电压,还要看晶体管的电流放大倍数、集电极电压以及集电极电阻的阻值,如果有发射极电阻还要计算发射极电阻的影响,你最好把电路图和各相关元件的参数给出来,这样、才能准确推算.

发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是vbc>0,而是vbc=vbc(on),npn硅管vbc(on)=0.4v),.特点1:vce很小约0.3v(vce(sat)=-vbc+vbc=-0.4+0.7=0.3v),因此相当于c,e极间短路或电阻很小.2:vce很小变化就使ice急剧改变3:ib与ic在临界时仍可用ic=βib,但进入饱和ic<βib.

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