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晶体三极管饱和状态

晶体三极管工作在饱和状态时,它的Ic只与集电极电源电压和集电极电阻、发射极电阻有关,和基极电流无关.具体公式为 Ic=(Vc-0.3)/(Rc-Re) 式中,Vc为电源电压,0.3为晶体管饱和压降(按硅管计算),Rc为电源和集电极之间的电阻,Re为发射极和地之间的电阻.

都是正向偏置..

首先要知道:保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以改变集电极电流:IC=BIB 三极管的工作原理是.基极与发射极之间的PN结称为发射结,基极与集电极之间的PN结称为集电结.当三极管工作在放大状态时,我们定义正向偏置电压是PN结电压,所以发射结是正向偏置电压;NP结相对PN结是反向,所以集电结是反向偏置电压. 主要还是要自己理解书上的知识,想问题要灵活而不能读死书,用简单的思维来想复杂的问题----用扎实的知识来分析就能很快掌握.

临界饱和状态是三极管Vce极接近其饱和电压的状态.在这个状态下三极管开关速度最高, 损耗小.

放大区:发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue(NPN).截止区:发射结反偏,集电结反偏.Uc>Ue>Ub(NPN).饱和区:发射结正偏,集电结正偏.Ube>Uce(NPN).

和晶体三极管的型号有关IB=IC/,就要知道IC和零界β;β你要知道零界饱和状态的话

准确点说应该是处于放大状态,当然也是导通状态一种,因为还有饱和导通.三极管的工作状态有3种,截止,放大导通,饱和导通.截止状态是Vbe0.6V,而饱和导通状态是Vbe=0.7V和Vce

硅三极管0.7V锗三极管0.3V一般只要不是截止,就差不多是这个压降.

晶体管处于饱和状态是因为集电极电流Ic过大,使Rc上的电压降接近电源电压,故处于饱和状态.因为Ic=Ib*β,所以增大Rb使Ib减小致Ic减小,使晶体管退出 饱和状态 .

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