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晶体管临界饱和uCEs

一、指代不同1、三极管Uces:即饱和状态,指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态.2、Uce:称为压降,电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化.二、原理不同1、三极管Uces:饱和状态工作

1、三极管饱和电压Uces确定是通过实际测试.让它流过指定的电流,给定指定的基极电流.2、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V.工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而

Uces=0,Iceo=0 Uces=0,就是晶体管的饱和压降为零,Iceo=0,就是晶体管的穿透电流为零,看似理想状态,其实晶体管也已损坏,前者为击穿短路,后者为开路状态.

uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压,s代表saturation.uce是三极管集电极与发射极之间的电压.在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces.此外,三极管的工作状态有三种:截止状态、放大状态、饱和状态.

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V-0.5V且U.打字不易,如满意,望采纳.

型号 材料与极性 pcm(w) icm(ma) bvcbo(v) c9013 si-npn 0.625 500 40 主要用于低频放大与电子开关 cs9014 npn,0.625w,0.1a,vcb0==50v,vce0=45v,vb0=5v,icb0=50na.hfe=60--1000,ft=270mhz 9015 硅pnp管 用途:低频放大.vcbo=50v vceo=45v vebo=5v icm=100毫安 pcm=0.45w ft=100mh 放大倍数:60-600(a-c)

临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.

这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助

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