ncxq.net
当前位置:首页 >> 晶体管的饱和电压 >>

晶体管的饱和电压

1、三极管饱和电压Uces确定是通过实际测试.让它流过指定的电流,给定指定的基极电流.2、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件.对于硅三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右,对于锗三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右,但是如果不是处于饱和区而是出于放大区,就不确定了,只能确定集电极电流是基极电流的β倍.

不会等于0,要有饱和压降的.

你说的最后一条是对.因为放大的信号是靠Vcc来提供能量的,直流通路中,RC是负载电阻,因此Vcc能提供的最大电流为Im=Vcc/Rc(假设没有发射极电阻).也就是说当Ib>Im/β以后,Ic是不可能再增大了.饱和时候的特点就是所有电压都落在Rc(或者Rc和Re)上,Vce上电压很小.“基极电压大于集电极电压就饱和”是这样的.Vb>Vc表示Vbe>Vce,而导通时,Vbe

三极管饱和导通电压和通过的电流有关,以硅管举例,小功率硅管的饱和压降灾.7V左右,大功率的管子饱和压降会高些,所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样,意为2A电流时的饱和压降为2V.

ib=(v-vceo)/rl/hfe.其中vceo为三极管饱和压降,rl为ic通路电阻总和.

电流,三极管是电流控制器件:Ic = β * Ib

ggg饱和状态是指三极管两端电压基本不变(很低),集电极电流与基极电流已经严重偏离IC=B*IB的关系,一般此时的放大倍数只小于5,饱和状态不一定发生在大电流情况下,任何集电极电流下都可进入饱和区,只要集电极电压降到足够小,就进入饱和状态.

饱和是指电流饱和.三极管具有放大作用就量指当基极电流有小的变化时会使集电极电流产生大的变化,集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,但是当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再增加了,这种现象就叫做饱和.饱和并不是击穿,三极管进入饱和区时,三极管上电压很低,一般三极管的饱和电压小于1V.至于为什么要叫饱和得要从三极管的结构和放大原理开始了,请参阅有关资料.

你的理解没有错误,理解到这种程度已经下了功夫了.但确实还有一点问题,主要在于: 1、过于在意“极电结正偏”了.其实,在饱和区,即便是极电结正偏,也还没有达到极电结的正向导通电压.不过,一般人都会被“正偏”误导. 2、饱

网站首页 | 网站地图
All rights reserved Powered by www.ncxq.net
copyright ©right 2010-2021。
内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com