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晶体管饱和深度的定义

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和.饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定,饱和电流的大小与三极管无关,一般当ce电压小到0.4v时三极管就饱和了.其本质就是饱和时发射极和集电极都是正向偏置导通,故相当于短路.基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和.基极电流乘放大倍数远大于集电极电流时是深度饱和.三极管在深度饱和的状态下,ic=βib的关系不成立,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置,导电的状态下,在电路中犹如一个闭合的开关.所以相当于短路.ic-uce输出特性曲线斜率趋近于无穷大,也就是电阻接近为零.在开关电路中深饱和会影响开关速度.

饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和.深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和.从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度.

临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1k,vcc是5v,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05ma=50μa,那么基极电流大于50μa就可以饱和. 1.在实际工作中,常用ib*β=v/r作为判断临界饱和的条件.根据ib*β=v/r算出的ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深. 2.集电极电阻 越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个pn结均正偏,ic不受ib之控制.

三极管在数字电路中饱和应用是作为电子开关导通状态使用的,为了使三极管开关能够在承受较大灌电流时仍然保持导通良好,需要三极管处于深度饱和状态.如果传递信号中需要放大信号,三极管就必须工作在放大状态.

一方面.三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态.因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结.另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得通过反偏集电结的输出电流与输入电流成正比(比例系数就是电流放大系数);但随着输入电流的增大,输出电流将逐渐转变为饱和,三极管也就进入饱和状态.因此饱和电流也仍然从集电结输出.可见,这主要是由于通过发射结的输入电流的驱动所致,如果没有输入电流的驱动,只有集电结正偏,也就不会产生输出的饱和电流.

晶体管刚进入饱和时为临界饱和,如Ib继续增加,则为过饱和. 用作开关时,晶体管应工作在深度饱和状态,这有利于降低Vce和减小导通时的损耗

<p></p> <p>在图的左侧即深度饱和区Ic是一条向右上方的斜直线,此状态下基极电流远大于Ic/β,Ic只服从于三极管的饱和状态下导通电阻rc的欧姆定律(在三极管安全功率内),Ic=Vce/rc,即Vce大小决定Ic的大小,与Ib无关了(横轴2左边向左);而在放大区Ic=β*Ib,即Ib的大小决定Ic的大小,与Vce无关了(横轴向右2、4、6、8等电压变化Ic不变).我们可以从图中看的很清楚.</p>

三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置.集电极反向偏置”这一条件.三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区.在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏),

三极管有三个状态啊,截止,放大,饱和,饱和的时候,NPN的管子,基极的电压比集电极的电压大,导致发射极和集电极之间的电阻很大,相当于断路……

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