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晶体管饱和区

电路工作特点如下: 1). 截止状态 : uB 2). 放大状态 : uB>0,发射结正偏,集电结反偏,iC=βiB. 3). 饱和状态 : uB>0,两个PN结均为正偏,iB≥IBS(基极临界饱和电流)≈UCC/βRc ,此时iC=ICS(集电极饱和电流)≈UCC/Rc .三极管呈现低阻抗,类似于开关接通.

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

饱和区就是说uce比如拿作业1.16来说吧 vbb=0, ibb=0,晶体管截止 uo=12v vbb=1, ibb=(1-0.7)v/5k=0.06ma vc=vcc-ic*rc=12-50*0.06*1k=9v 晶体管在放大区 vbb=3, ibb=(3-0.7)v/5k=0.46ma vc=12-50*0.46*1k=-11v所以 晶体管是在饱和区 综上:要判断是不是在饱和区 首先按放大区计算方法来算vc 再看vc是否小于vbb 小的话就是饱和区 这是我自己总结的经验 不足或不对的地方请指教喔

1、过于在意“极电结正偏”了.其实,在饱和区,即便是极电结正偏,也还没有达到极电结的正向导通电压.不过,一般人都会被“正偏”误导.2、饱和的含义:集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再随着增加了,这种现象就叫做饱和.而“三极管如工作在饱和状态,那么就是双结正偏”是现象或因果关系,也不算解释.饱和的实质正是由于集电结正偏而使ic脱离了与ib的线性关系(请复习三极管构造).3、三极管的饱和状态,是包括ic趋于0的状态的,这一点请自已体会、理解.4、通过给三极管发射结加上正向导通偏压,同时给集电结加上正偏,三极管一定是在饱和区(一定不在放大区,包含ic为零的情形).

三极管工作在饱和区的条件是 发射结正偏 集电结正偏 工作在放大区的条件是什么是 发射结正偏 集电结反偏 正常放大状态之下 UCE大于发射结的导通压降 即硅管大于0.7V 锗管大于0.3V 这个电压越小 管子动态范围越小 一般都在几伏 饱和区之内 UCE是低于管子发射结导通压降的 硅管在0.3V下 锗管在0.1V下

饱和是指电流饱和.三极管具有放大作用就量指当基极电流有小的变化时会使集电极电流产生大的变化,集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,但是当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再增加了,这种现象就叫做饱和.饱和并不是击穿,三极管进入饱和区时,三极管上电压很低,一般三极管的饱和电压小于1V.至于为什么要叫饱和得要从三极管的结构和放大原理开始了,请参阅有关资料.

使用晶体管驱动负载主要利用晶体管的开关特性,也就是通过控制晶体管在饱和区和截止区之间切换来控制负载的接通和关闭.饱和区和截止区也就是能够达到控制晶体管工作的电压和电流.

很好理解 直接判断ce极电压,针对npn来说 ce极电压小于0.3,即工作在饱和区 ce极电压在大于0.3,小于vcc-2之间,属于放大区 ce极电压等于vcc,那么就是截止区.至于饱和区怎么理解,是这样理解的:所谓饱和,就是饱了,c极的电流就像个小婴儿,喂给它的基极电流如果很小,婴儿会哭闹的 如果喂给它的基极电流比较大,基极电流乘以放大倍数远远超出了c极在外界下所能获得的电流,那么就说明这个小婴儿已经喂饱了,不哭闹了

饱和区就是说uce 评论0 0 0

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