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关于三极管的饱和压降

三极管在饱和导通时射极与集极之间的电压叫三极管的饱和压降.三极管的饱和压降一般为0.2V-0.3V 之间.

三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.

三极管的饱和压降一般是常数,硅管约为0.3V,锗管约为0.1V

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压UCES是饱和与放大的分界线,过了这个点就是饱和.小功率管子,一般这个电压是0.7V,大功率管子大概是2-3V.后面饱和程度深了之后就不好说了,一般小功率管子饱和导通的UCE电压,往往用0.3V来估算(但实际是不是0.3V,真的只有鬼才知道),大功率管子还是乖乖地实测吧.

三极管饱和压降Vce(sat) 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V,锗管0.3V.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.

饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.

不是,CE极电压在0.3或者0.3V以下时,三极管进入饱和区的工作状态,集电极电流不随着基集电流增加而增加了.所以叫饱和电压.

0.7v是硅三极管pn结之间的正向压降;而三极管的饱和压降、是指三极管饱和导通后CE之间的压降.这个饱和压降用ces来表示.他的离散性较大,不一定都是0.1V.

饱和压降锗管Uce取0.1V 硅管Uce取0..3V 导通锗管Ube可取0.3V 硅管Ube为0.6~0.7V仅供参考

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