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饱和压降vCEs怎么计算

对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为:发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此,饱和时,C到E之间的压降不可能高于0.7V的,否则就不能满足饱和的条件了.而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V,是由元件本身特性决定的,可以看三极管的输出特性曲线,在左边的饱和区,Uces的很小的一个范围,一般按0.3V估算.可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和,这怎么解释.? 你们书写错了,饱和时的VCE不可能是0.7V,而是0.3V!

当晶体管完全、充分导通,CE之间的总有一定的电压,不可能为0,饱和压降就是指这个最小电压.

Vecs是Ic的函数,不同的集电极电流下各不相同.应该从三极管的输出特性曲线上去查找,就是最靠纵坐标的那条竖直斜线.在大电流应用时,2V、3V都有可能.

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0.2V是T5的饱和压降Vces.2.1V是T1集电结、T2发射结、T5发射结三者正偏(正向)压降的叠加,0.7*3=2.1V.3.4V应该是假定的输入高电平.

IGBT的饱和压降就是IGBT工作在开通状态时的压降,也就是IGBT的CE极之间的电压.这是和MOS管的导通电阻Rds(on)类似.

电路如图题10.3.1所示,开关调整管T的饱和压降VCES=1V,穿透电流ICEO=1mA,vT为幅度为5V、周期为60μs的三角波,它的控制电压vB为矩形波,续流二极管D的正向电压VD=0.6V.输入电压VI=20V,

管的饱和管压降|V CES |=3V,V CC =15V,R L =8Ω.请选择正确答案. 悬赏: 0 答案豆 提问人: 匿名网友 您可能感兴趣的试题 在LC正弦波振荡电路中,不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其

已知开关管VT的饱和压降VCES=1V,ICEO=1mA,控制脉冲vB为矩形波,导通时间占空比为0.6,续 (b)忽略L、C及控制电路的损耗,计算电源的效率η. 请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

晶体管的饱和压降不是计算出来的,它由管子结构如pnp,npn决定,另外也由制作工艺,材料相关.其数值往往是一个区间.

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